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三酸化タングステンを含む導(dǎo)電性ガラス

三酸化タングステン、主に規(guī)則的なナノ構(gòu)造WO 3は、ナノ材料の特性および優(yōu)れた量子効果を有し、そしてエレクトロフォトクロミック、フォトクロミックおよび他のオプトエレクトロニクス特性において優(yōu)れた特性を示し、そして例えば導(dǎo)電性ガラスに適用することができる。 FTO導(dǎo)電ガラス、ITO導(dǎo)電ガラス、ITO / PETフレキシブル導(dǎo)電基板、ガラスと金屬からなる導(dǎo)電ガラス。

詳細(xì)については、にアクセスしてください。
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

三酸化タングステン畫像付き導(dǎo)電性ガラス

その中で、何人かの専門家は、FTO導(dǎo)電性ガラス基板上に三酸化タングステン膜を調(diào)製する方法を提案した。具體的には、タングステン酸塩を水に溶解してタングステン酸塩溶液を形成し、得られたタングステン酸塩溶液を最初に大量の塩酸を添加することによって酸性化し、次いでタングステン酸塩の量はリンタングステン酸およびリンモリブデン酸の5?35%である。あるいは、ケイタングステン酸中の1種以上のヘテロポリ酸を、沈殿が生じなくなるまで撹拌して前駆體混合物を得る;シュウ酸アンモニウムを構(gòu)造誘導(dǎo)剤として得られた前駆體混合物に添加し、次いで撹拌を0.5?2時間続ける。 FTO基板を備えた高圧反応器中で溫度を100?180℃に制御し、反応は1?24時間であり、そして自然に室溫まで冷卻し、三酸化タングステン結(jié)晶を裝填したFTO基板を取り出し、そしてマッフル爐中で400?600℃で取り出した。 0.5?4時間の高溫で焼成して、FTO基板上に三酸化タングステン膜を得た。

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