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大面積エレクトロクロミックデバイス用のWO3

大面積エレクトロクロミックデバイスは、アモルファス?fàn)顟B(tài)では300°C(a-WO3)、結(jié)晶狀態(tài)では400°Cおよび500°C(c-WO3)でWO3を使用します。 専門家によると、アモルファス三酸化タングステン膜は、結(jié)晶性三酸化タングステン膜よりも著色効率が高く、応答時間が短い、つまりエレクトロクロミック性能が優(yōu)れているとのことです。

詳細(xì)については、次をご覧ください。
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

大面積エレクトロクロミックデバイスのWO3畫像

専門家はまた、一般に、低溫で生成された酸化タングステンはアモルファスであることを紹介しました。 特定の溫度で熱処理すると、結(jié)晶狀態(tài)に変換されます。 一般に、いわゆる結(jié)晶狀態(tài)とは、固體が存在する主な形態(tài)を指します。 アモルファス?fàn)顟B(tài)とは、固體物質(zhì)の原子の配列が短距離秩序と長距離不規(guī)則性を有する狀態(tài)を指す。

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