以多孔硅為基底氧化鎢薄膜2/5

有序多孔硅和氧化鎢薄膜復合結(jié)構(gòu)的制備流程：

多孔硅層制備：利用雙槽電化學腐蝕法在硅片表面腐蝕形成具有一定厚度的有序多孔硅(PS)層。本次制備所用硅片為2英寸n型(100)，電阻率0.01-0.02Ω•cm，腐蝕液由體積比為1:1:5的氫氟酸(40%)、無水乙醇和去離子水組成。采用ATTENPCR70電流源施加電流120mA•cm−2，腐蝕時間15min。硅片腐蝕前先要清洗，首先將硅片切割成尺寸為2.0mm×0.8mm的小樣片，在體積比3:1的濃硫酸(98%)和雙氧水(30%)混合液中浸泡40min，去除有機物雜質(zhì)，然后在20%的氫氟酸溶液中浸泡20min，去除氧化層，之后在丙酮里超聲清洗5min去除雜質(zhì)離子，最后在無水乙醇中超聲清洗5min。腐蝕完的多孔硅放在無水乙醇中備用。

氧化鎢薄膜制備：利用DPS-III型超高真空對靶直流磁控濺射鍍膜機在多孔硅表面反應濺射沉積一定厚度的氧化鎢薄膜。靶材是99.95%的高純鎢靶，氬氧比45:5sccm，工作壓強1.0Pa，濺射功率100W，濺射時間分別為5min，10min，15min。鍍膜完畢后將樣品放在退火爐里進行退火，升溫速度2℃/min，450◦C保溫4h，自然降溫。采用射頻磁控濺射為沉積鉑金屬膜點電極，靶材是純度99.99%的高純鉑靶，氬氣流量24sccm，工作壓強2.0Pa，濺射功率90W，濺射時間12min。