航天電子設(shè)備需要在極端環(huán)境下運行，如高溫、劇烈溫度變化、高真空、強輻射和振動沖擊等。因此，對電子封裝材料提出了極高的要求，包括高導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)（CTE）、耐高溫和機械穩(wěn)定性等。
鉬銅（Mo-Cu）合金是一種兼具高導(dǎo)熱性和低熱膨脹特性的復(fù)合材料，在航空航天電子封裝領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)異的應(yīng)用價值。
航空航天電子設(shè)備通常工作在嚴(yán)苛環(huán)境下，封裝材料需滿足以下關(guān)鍵要求：
1.高導(dǎo)熱性
電子元件（如功率放大器、微波組件等）在運行過程中會產(chǎn)生大量熱量，若不能及時散熱，可能導(dǎo)致性能下降甚至失效。因此，封裝材料需要具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，以確保設(shè)備穩(wěn)定運行。
2.低熱膨脹系數(shù)（CTE）
航空航天電子元件通常采用硅（Si）、砷化鎵（GaAs）或氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體材料，其熱膨脹系數(shù)較低（約4-7 × 10??/K）。封裝材料的CTE需與半導(dǎo)體芯片匹配，以減少溫度變化導(dǎo)致的熱應(yīng)力，防止界面裂紋和器件失效。
3.耐高溫、耐輻射
航天器在軌運行時，需要承受極端溫度變化（-100°C 至 150°C）和宇宙射線輻射，封裝材料必須具有優(yōu)良的高溫穩(wěn)定性和抗輻射能力。
4.高機械強度與抗振動性能
航空航天器件在發(fā)射、飛行過程中會經(jīng)歷強烈的振動和沖擊，因此封裝材料需要具備良好的機械強度，以確保電子元件的穩(wěn)定性和可靠性。
鉬銅合金在航天電子封裝中的具體應(yīng)用
1. 微波功率放大器（MPA）封裝
微波功率放大器廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)和航天電子戰(zhàn)設(shè)備中，功率密度較高，散熱需求極大。Mo-Cu合金作為MPA的封裝材料，能有效降低器件工作溫度，提高輸出功率和可靠性。
2. 高功率射頻（RF）模塊基板
5G通信衛(wèi)星、雷達(dá)系統(tǒng)和電子對抗設(shè)備需要高頻射頻模塊，其核心組件（如GaN HEMT功率晶體管）需要高效的熱沉材料。Mo-Cu合金熱沉基板能提供優(yōu)異的散熱能力，降低射頻模塊溫度，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
3. 電子封裝基板（LID、Heat Sink）
航天電子設(shè)備通常采用多層陶瓷封裝（HTCC、LTCC），需要高導(dǎo)熱封裝基板進(jìn)行熱管理。Mo-Cu基板可替代傳統(tǒng)的金屬-陶瓷封裝，提高散熱效率，減少封裝失效率。
4. 衛(wèi)星電源管理系統(tǒng)
衛(wèi)星電源管理系統(tǒng)（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源模塊）在太空環(huán)境下長期工作，Mo-Cu封裝材料可提供更穩(wěn)定的熱管理性能，延長電源系統(tǒng)壽命。
