6N鎢靶材指的是純度為6N的鎢靶材，首先是由一家日本公司研製出來(lái)的。經(jīng)高溫處理後，該類靶材材料具有良好的耐熱性和與氧化鉭的相容性，可用於取代二矽化鉬（MoSi2）和二矽化鎢（WSi2）作為佈線材料。
由日本公司研製得到的6N鎢靶材的直徑為300mm，其中鈉和鉀的含量各低於10x10-9，鐵、鎳、鉻、銅、鋁的含量各低於200X10-9，鈾和釷的含量低於0.2X10-9，氧低於80X10-6，金屬雜質(zhì)總量低於1X10-6。
隨著半導(dǎo)體積體電路的集成度越來(lái)越高，半導(dǎo)體電路中電晶體和線路的尺寸越來(lái)越小，對(duì)所用的鎢等材料的純度要求也越來(lái)越高。大規(guī)格積體電路製造中所使用的純鎢靶材的純度要求達(dá)到99.999%（5N）以上，甚至達(dá)到99.999%（6N）。除了總雜質(zhì)含量要越低越好之外，金屬鎢中存在的個(gè)別雜質(zhì)元素對(duì)半導(dǎo)體積體電路也存在著不利的影響。因此必須對(duì)原材料中該類元素的含量進(jìn)行控制。
更多內(nèi)容請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：
http://www.tungsten.com.cn/big5/tungsten-target.html
