鉬銅合金憑藉其高導(dǎo)熱性、低熱膨脹係數(shù)和優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性，在高功率電子器件散熱領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。通過優(yōu)化Mo-Cu比例、提高材料緻密度、採用梯度結(jié)構(gòu)、優(yōu)化介面…

航太電子設(shè)備需要在極端環(huán)境下運(yùn)行，如高溫、劇烈溫度變化、高真空、強(qiáng)輻射和振動(dòng)衝擊等。因此，對(duì)電子封裝材料提出了極高的要求，包括高導(dǎo)熱性、低熱膨脹係數(shù)（CTE）、…

高功率雷射器在工業(yè)加工、醫(yī)療設(shè)備、軍事應(yīng)用和光通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。然而，這類雷射器在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，若散熱不及時(shí)，可能導(dǎo)致雷射器性能下降、光束…

隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，基站數(shù)量和功率密度大幅增加，特別是在高頻毫米波段，射頻（RF）模組的功率損耗顯著提升。由於射頻功放晶片在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，如…

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體（MOSFET）因其高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換的特點(diǎn)，在電力電子、通信設(shè)備、汽車電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，…

絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）是一種廣泛應(yīng)用於電力電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件，因其高效率、快速開關(guān)特性和高耐壓能力，在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車、軌道交通以及智慧電網(wǎng)等…