臺(tái)積電斥資新臺(tái)幣32億元買(mǎi)地建全球首家10寸晶圓生產(chǎn)基地
10月23日，臺(tái)積電砸下32.1億元新臺(tái)幣購(gòu)買(mǎi)竹南科學(xué)園區(qū)14.32公頃土地，做為18寸晶圓、7奈米制程的研發(fā)與早期生產(chǎn)基地，估計(jì)2016年動(dòng)工、2017年裝機(jī)，這是全球首家規(guī)劃18寸晶圓建廠藍(lán)圖的半導(dǎo)體廠。
業(yè)界認(rèn)為臺(tái)積電日前與英特爾、三星合資微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)，加速18寸晶圓與極深度紫外光(EUV)發(fā)展，這次又大手筆買(mǎi)地，是先進(jìn)制程布局的延伸。
臺(tái)積電現(xiàn)階段最先進(jìn)的制程技術(shù)為28奈米，這次著手布建7奈米生產(chǎn)藍(lán)圖，是28奈米之后，未來(lái)4個(gè)世代的技術(shù)，搭配18寸晶圓生產(chǎn)，可讓每顆芯片更輕薄短小、每單位晶圓產(chǎn)出更多，大幅降低生產(chǎn)成本。
臺(tái)積電主管透露，這次購(gòu)地主要考量新竹科學(xué)園區(qū)已無(wú)土地可供建廠，為應(yīng)對(duì)下一世代產(chǎn)品技術(shù)不斷推陳出新，臺(tái)積電必須及早做好“土地庫(kù)存”的準(zhǔn)備。
臺(tái)積電暫時(shí)將這塊新取得的土地定為Fab12的第8期用地，最快2016年動(dòng)工興建廠房。業(yè)界推算，臺(tái)積電在Fab12第8期導(dǎo)入18寸晶圓研發(fā)與試產(chǎn)后，最快2017年底在中科15廠第5期導(dǎo)入量產(chǎn)。
臺(tái)積電將成為全球首家規(guī)劃18寸晶圓建廠藍(lán)圖的半導(dǎo)體廠，領(lǐng)先英特爾、三星、格羅方德、聯(lián)電等勁敵。臺(tái)積電今年資本支出拉高到85億美元，外資預(yù)估明年資本支出繼續(xù)向上，而透過(guò)高資本支出擴(kuò)大先進(jìn)制程生產(chǎn)線，正是臺(tái)積電甩開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的策略。
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